Версия для печати
Технические характеристики MMBT2907A

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type	PNP
Current - Collector (Ic) (Max)	800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.6V @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 150mA, 10V
Power - Max	350mW
Frequency - Transition	200MHz
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

Полевой транзистор SMD, PNP, 60V, 600MA MMBT2907A datasheet 663,11kB 18стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	25 735	1.48
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	267 221	1.47
		1N4007			DIOTEC	112 804	2.78
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	213 322	1.25
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	4.54
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				259 085	1.66  >100 шт.   0.83
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	44 058	1.03
		1N4007			HOTTECH	514 934	2.32
		1N4007			KLS	96 000	2.07
		1N4007			YS
		1N4007			YANGJIE	6 400	1.51
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA	14 461	1.09
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	69 609	1.85
		1N4007			TWGMC	51 585	1.38  >500 шт.   0.46
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	112	1.89
		1N4007			ASEMI	27 465	1.07
		BC337-40.112			NXP
		HC-49S 14745.6 КГЦ 30 PPM			KDS
		HC-49S 14745.6 КГЦ 30 PPM					24.00
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DIODES
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	FAIR
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	LITE ON OPTOELECTRONICS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	ST MICROELECTRONICS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	GENERAL SEMICONDUCTOR
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	UTC
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DIOTEC	22 722	2.26
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DC COMPONENTS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	NXP
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	MCC
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	STMicroelectronics
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	ONS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DIODES INC.	16
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	FAIRCHILD	48
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	DIOTEC SEMICONDUCTOR
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц		48 968	1.76  >100 шт.   0.88
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	PANJIT
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	KLS
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	HOTTECH	38 371	1.82
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	SEMTECH
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	YJ	46 819	1.23
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	JSCJ	36 167	1.19
		MMBT2222A		Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц	ASEMI	7 278	2.00  >100 шт.   1.00
		TEA2025B		Усилитель низкой частоты 2x2.3W (9V/4 Ом), Класс: AB; Выход: стерео; Uпит: 3...12 В; ...	ST MICROELECTRONICS	52	58.59
		TEA2025B		Усилитель низкой частоты 2x2.3W (9V/4 Ом), Класс: AB; Выход: стерео; Uпит: 3...12 В; ...	SGS
		TEA2025B		Усилитель низкой частоты 2x2.3W (9V/4 Ом), Класс: AB; Выход: стерео; Uпит: 3...12 В; ...			37.16
		TEA2025B		Усилитель низкой частоты 2x2.3W (9V/4 Ом), Класс: AB; Выход: стерео; Uпит: 3...12 В; ...	SGS THOMSON
		TEA2025B		Усилитель низкой частоты 2x2.3W (9V/4 Ом), Класс: AB; Выход: стерео; Uпит: 3...12 В; ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TEA2025B		Усилитель низкой частоты 2x2.3W (9V/4 Ом), Класс: AB; Выход: стерео; Uпит: 3...12 В; ...	STMICROELECTRONICS
		TEA2025B		Усилитель низкой частоты 2x2.3W (9V/4 Ом), Класс: AB; Выход: стерео; Uпит: 3...12 В; ...	ГЕРМАНИЯ
		TEA2025B		Усилитель низкой частоты 2x2.3W (9V/4 Ом), Класс: AB; Выход: стерео; Uпит: 3...12 В; ...	ST1
		TEA2025B		Усилитель низкой частоты 2x2.3W (9V/4 Ом), Класс: AB; Выход: стерео; Uпит: 3...12 В; ...	ST MICROELECTRO
		TEA2025B		Усилитель низкой частоты 2x2.3W (9V/4 Ом), Класс: AB; Выход: стерео; Uпит: 3...12 В; ...	4-7 НЕДЕЛЬ	607

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"