RHRP15120
|
|
Версия для печати
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 15A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 3.2V @ 15A |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 75ns |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-2 |
| Корпус | TO-220AC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HER805 | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
|||||
 |
 |
IRF2807 |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R | INTERNATIONAL RECTIFIER | 80 | 144.45 | |
|
|
|
IRF2807 |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R | 1 | 202.86 | ||
|
|
|
IRF2807 |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRF2807 |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
IRF2807 |
|
Полевой транзистор N-Канальный 75V, 82A, 230W, 0.013R | INFINEON |
|
|
|
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
290.60 | |||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | МЕКСИКА |
|
|
||
|
|
IRG4PC40W |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
||
| MUR480E | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| MUR480E | ON SEMICONDUCTOR | 500 |
|
|||||
| MUR480E | ONS |
|
|
|||||
| MUR480E | 7 | 98.28 | ||||||
| MUR480E | 1 |
|
|
|||||
 |
|
TDA16888G |
|
Infineon Technologies |
|
|
||
|
|
|
TDA16888G |
|
INFINEON |
|
|
||
|
|
|
TDA16888G |
|
|
|
|||
|
|
|
TDA16888G |
|
INFINEON |
|
|
||
|
|
|
TDA16888G |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 232 |
|
