IRLR3717PBF
|
|
Версия для печати
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.45V @ 250µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 120A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 15A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2830pF @ 10V |
| Power - Max | 89W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SJ598 |
|
P-MOS 60V, 12A, 23W | NEC |
|
|
|||
| 2SJ598 |
|
P-MOS 60V, 12A, 23W |
|
127.60 | ||||
| BZX55-C9V1 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| BZX55-C9V1 | DC COMPONENTS | 3 375 | 1.56 | |||||
| BZX55-C9V1 | VISHAY |
|
|
|||||
| BZX55-C9V1 |
|
|
||||||
| BZX55-C9V1 | GENERAL SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
 |
 |
PIC12F683-E/SN |
|
Microchip Technology |
|
|
||
|
|
|
PIC12F683-E/SN |
|
MICRO CHIP | 224 | 236.56 | ||
|
|
|
PIC12F683-E/SN |
|
|
|
|||
|
|
|
PIC12F683-E/SN |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 147 |
|
||
 |
PIC12F683-I/P |
|
2Kx14 Flash 6I/O 20MHz | MICRO CHIP | 4 071 | 172.28 | ||
|
|
PIC12F683-I/P |
|
2Kx14 Flash 6I/O 20MHz |
|
236.08 | |||
|
|
PIC12F683-I/P |
|
2Kx14 Flash 6I/O 20MHz | Microchip Technology |
|
|
||
|
|
PIC12F683-I/P |
|
2Kx14 Flash 6I/O 20MHz | ТАИЛАНД |
|
|
||
|
|
PIC12F683-I/P |
|
2Kx14 Flash 6I/O 20MHz | 4-7 НЕДЕЛЬ | 620 |
|
||
 |
ФЛЮС ЛТИ-120 (НЕЙТРАЛЬНЫЙ) 25МЛ |
|
Флюс для пайки 25мл |
|
|
