Версия для печати
Технические характеристики OPA364AIDBVT

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Тип усилителя	General Purpose
Число каналов	1
Тип выхода	Rail-to-Rail
Скорость нарастания выходного напряжения	5 V/µs
Полоса пропускания	7MHz
Ток - входного смещения	1pA
Напряжение входного смещения	1000µV
Ток выходной	1.1mA
Ток выходной / канал	85mA
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	1.8 V ~ 5.5 V, ±0.9 V ~ 2.75 V
Рабочая температура	-40°C ~ 125°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SC-74A, SOT-753
Корпус	SOT-23-5
Output Type	Rail-to-Rail

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		AD8400AR1		Цифровой потенциометр, 1кОм, 7 бит, 128 позиций, SPI, 700ppm/°С, 5МГц, 3нВ/VГц, ...	ANALOG DEVICES
		AD8400AR1		Цифровой потенциометр, 1кОм, 7 бит, 128 позиций, SPI, 700ppm/°С, 5МГц, 3нВ/VГц, ...		4	351.50
		AD8400AR1		Цифровой потенциометр, 1кОм, 7 бит, 128 позиций, SPI, 700ppm/°С, 5МГц, 3нВ/VГц, ...	Analog Devices Inc
		AD8400AR1		Цифровой потенциометр, 1кОм, 7 бит, 128 позиций, SPI, 700ppm/°С, 5МГц, 3нВ/VГц, ...	ANALOG DEVICES
		AD8400AR1		Цифровой потенциометр, 1кОм, 7 бит, 128 позиций, SPI, 700ppm/°С, 5МГц, 3нВ/VГц, ...	4-7 НЕДЕЛЬ	297
		AT93C46DN-SH-B		ИМС Микропроцессор	ATMEL
		AT93C46DN-SH-B		ИМС Микропроцессор			33.20
		AT93C46DN-SH-B		ИМС Микропроцессор	ATMEL CORPORATION
		AT93C46DN-SH-B		ИМС Микропроцессор	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		AT93C46DN-SH-B		ИМС Микропроцессор	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		AT93C46DN-SH-B		ИМС Микропроцессор	MICRO CHIP
		AT93C46DN-SH-B		ИМС Микропроцессор	4-7 НЕДЕЛЬ	57
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP	2 904	2.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DC COMPONENTS	13 796	2.03
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	DIOTEC	35 563	3.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ES
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	FAIRCHILD
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GENERAL SEMICONDUCTOR
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NXP
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS	486
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	STMicroelectronics
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	PHILIPS SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	КИТАЙ
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	INFINEON TECH
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	ON SEMIC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	GALAXY ME
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	HOTTECH	574 192	1.64  >100 шт.   0.82
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...		45 726	1.52  >100 шт.   0.76
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	LRC
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KLS
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	KOME	1	1.61
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	SUNTAN	5 057	1.64  >100 шт.   0.82
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	NEX-NXP	112	3.10
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	YJ	141 947	2.07
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	TRR	79 200	1.50  >500 шт.   0.50
		BC857B		Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...	XXW	158 139	1.34  >100 шт.   0.67
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	NXP
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	PHILIPS
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	MCC
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	NXP	17 654
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	PHILIPS	16 810
		BZX84-C12		Cтабилитрон универсальный 12В, 0.2Вт	NEXPERIA	952	1.22
		LM567CM			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM567CM					83.48
		LM567CM			NSC
		LM567CM			NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM567CM			МАЛАЙЗИЯ
		LM567CM			TEXAS INSTRUMENTS
		LM567CM			TEXAS
		LM567CM			4-7 НЕДЕЛЬ	32

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"