IRF7822TRPBF
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 15A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 60nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 5500pF @ 16V |
| Power - Max | 3.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FR4-1 1.5MM 150X250 | 716 | 145.43 | ||||||
| FR4-1 1.5MM 150X250 | RUICHI |
|
|
|||||
 |
 |
IRG4BC30FDPBF |
|
International Rectifier |
|
|
||
|
|
|
IRG4BC30FDPBF |
|
INFINEON | 39 | 763.10 | ||
|
|
|
IRG4BC30FDPBF |
|
|
|
|||
| STP26NM60N | ST MICROELECTRONICS | 3 920 | 126.18 | |||||
| STP26NM60N | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STP26NM60N | 405 | 102.19 | ||||||
| STP26NM60N | ST MICROELECTRO |
|
|
|||||
|
|
STW34NM60N |
|
STMicroelectronics |
|
|
|||
|
|
STW34NM60N |
|
ST MICROELECTRONICS | 343 | 407.65 | |||
|
|
STW34NM60N |
|
|
|
||||
|
|
STW34NM60N |
|
ST MICROELECTRO |
|
|
|||
| STW48NM60N | ST MICROELECTRONICS | 283 | 312.47 | |||||
| STW48NM60N |
|
|
||||||
| STW48NM60N |
|
|
||||||
| STW48NM60N | ST MICROELECTRO |
|
|
