1000 UF 63V 105C 1625

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
NP0 1000PF 5% 50V		SUNTAN
NP0 1000PF 5% 50V		КИТАЙ
Y5V-1.0UF +80%-20% 50V	Керамический конденсатор 1.0 мкФ 50 В	SUNTAN
Y5V-1.0UF +80%-20% 50V	Керамический конденсатор 1.0 мкФ 50 В			10.00
КТ 817 Г		RUS
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	96	956.34
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		16	552.00
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	193	1 312.50
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
КТ825Г	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
КТ827А	Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	КРЕМНИЙ	89	1 009.26
КТ827А	Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N			264.00
КТ827А	Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФЗМТ
КТ827А	Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	БРЯНСК	161	1 533.00
КТ827А	Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ЭЛЕКТРОПРИБОР
КТ827А	Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	ФРЯЗИНО
КТ827А	Усилительный составной транзистор большой мощности среднечастотный структуры N-P-N	RUS