| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
|
14 720
|
1.26
>100 шт. 0.63
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
NXP
|
736
|
1.06
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
34
|
2.63
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
23 851
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
1 554
|
1.06
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
SEMTECH
|
2
|
1.58
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
|
32 400
|
1.38
>100 шт. 0.69
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KINGTRONICS
|
3 600
|
3.10
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
HOTTECH
|
44 486
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
SEMTECH
|
13
|
1.88
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
VBSEMI
|
8
|
4.18
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
TRR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HXY
|
11 306
|
1.49
|
|
|
|
|
С2-29 0.5 1% 10.0К |
|
|
РЕСУРС
|
|
|
|
|
|
|
С2-29 0.5 1% 10.0К |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
С2-29В-1-300 КОМ-0,5% |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
