| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
|
72 720
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
NXP
|
736
|
1.05
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
DC COMPONENTS
|
4 383
|
4.21
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
HOTTECH
|
178 435
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
PHILIPS
|
1 754
|
1.05
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C12 |
|
Стабилитрон PV=0.5W, Vz=12V, Izt-5mA
|
SEMTECH
|
2
|
1.52
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
|
35 600
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
KINGTRONICS
|
3 600
|
3.10
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
HOTTECH
|
88 717
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
|
BZV55C18 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 18В, 21мA
|
SEMTECH
|
13
|
1.81
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
VBSEMI
|
42
|
5.07
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
TRR
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HXY
|
11 556
|
1.73
|
|
|
|
|
С2-29 0.5 1% 10.0К |
|
|
РЕСУРС
|
|
|
|
|
|
|
С2-29 0.5 1% 10.0К |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
С2-29В-1-300 КОМ-0,5% |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
