| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
4047BD |
|
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
4047BD |
|
|
|
|
27.68
|
|
|
|
|
4047BD |
|
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
4047BD |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
93
|
|
|
|
|
|
CRCW12061R00JNEA |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
CRCW12061R00JNEA |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
CRCW12061R00JNEA |
|
|
Vishay/Dale
|
|
|
|
|
|
|
ICM7555ID |
|
CMOS таймер общего прим-я (улучш. NE/SE555, 500kHz, Is=80uA, -40 to +85С)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
ICM7555ID |
|
CMOS таймер общего прим-я (улучш. NE/SE555, 500kHz, Is=80uA, -40 to +85С)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
ICM7555ID |
|
CMOS таймер общего прим-я (улучш. NE/SE555, 500kHz, Is=80uA, -40 to +85С)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
ICM7555ID |
|
CMOS таймер общего прим-я (улучш. NE/SE555, 500kHz, Is=80uA, -40 to +85С)
|
|
|
|
|
|
|
|
ICM7555ID |
|
CMOS таймер общего прим-я (улучш. NE/SE555, 500kHz, Is=80uA, -40 to +85С)
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ICM7555ID |
|
CMOS таймер общего прим-я (улучш. NE/SE555, 500kHz, Is=80uA, -40 to +85С)
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ICM7555ID |
|
CMOS таймер общего прим-я (улучш. NE/SE555, 500kHz, Is=80uA, -40 to +85С)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
ICM7555ID |
|
CMOS таймер общего прим-я (улучш. NE/SE555, 500kHz, Is=80uA, -40 to +85С)
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
76
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
TR
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
VBSEMI
|
8
|
3.85
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
TRR
|
|
|
|
|
|
IRLML0030TR |
|
Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на ...
|
HXY
|
11 591
|
1.40
|
|
|
|
|
К15-5 6.3 КВ 1000ПФ Н20 |
|
|
|
|
|
|