МЛТ - 0.125 ВТ 200 КОМ 5%

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
МЛТ - 0.125 ВТ 200 КОМ 5%	4 240	1.09

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
IRF7313	N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER	80	64.26
IRF7313	N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, ...			66.76
IRF7313	N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, ...	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7313	N-канальный Полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, ...	INFINEON
TPS79333DBVR	СН ``low drop`` (Vinmax=5.5V, Vout=3.3V, I=1mA, Cout = 10 µF, T=-40 to +125C)		4 200	27.96
TPS79333DBVR	СН ``low drop`` (Vinmax=5.5V, Vout=3.3V, I=1mA, Cout = 10 µF, T=-40 to +125C)	TEXAS INSTRUMENTS	26	27.15
TPS79333DBVR	СН ``low drop`` (Vinmax=5.5V, Vout=3.3V, I=1mA, Cout = 10 µF, T=-40 to +125C)	TEXAS INSTRUMENTS
TPS79333DBVR	СН ``low drop`` (Vinmax=5.5V, Vout=3.3V, I=1mA, Cout = 10 µF, T=-40 to +125C)	TEXAS
TPS79333DBVR	СН ``low drop`` (Vinmax=5.5V, Vout=3.3V, I=1mA, Cout = 10 µF, T=-40 to +125C)	4-7 НЕДЕЛЬ	758
XY301V-A-3P 5MM
XY301V-A-3P 5MM
КВ109В	1,9-3,1 пФ, добротность 160, 10МГц, 5мВт		272	7.56
КВ109В	1,9-3,1 пФ, добротность 160, 10МГц, 5мВт	ДНЕПР	200	10.50
КВ109В	1,9-3,1 пФ, добротность 160, 10МГц, 5мВт	ХЕРСОН
КВ109В	1,9-3,1 пФ, добротность 160, 10МГц, 5мВт	ОПТРОН
КВ109В	1,9-3,1 пФ, добротность 160, 10МГц, 5мВт	ДНЕР	1 440	10.50
КТ368Б	Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный			95.04
КТ368Б	Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	СВЕТЛАНА
КТ368Б	Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ДАЛЕКС
КТ368Б	Транзистор эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	РИГА