| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
|
|
14.92
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
ЯПОНИЯ
|
|
|
|
|
|
|
BF245C |
|
Транзистор полевой управляемый p-n переходом N-FET 30V 25mA 0,3W 12-25mA
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F84A-04/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 13I/O 4MHz
|
MICRO CHIP
|
267
|
429.44
|
|
|
|
|
PIC16F84A-04/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 13I/O 4MHz
|
|
400
|
273.48
|
|
|
|
|
PIC16F84A-04/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 13I/O 4MHz
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F84A-04/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 13I/O 4MHz
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F84A-04/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 13I/O 4MHz
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
|
PIC16F84A-04/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 13I/O 4MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
328
|
|
|
|
|
|
К174ХА34 |
|
ИС предназначена для приема и обработки сигналов с частотной модуляцией и усиления ...
|
ОРБИТА
|
|
|
|
|
|
|
К174ХА34 |
|
ИС предназначена для приема и обработки сигналов с частотной модуляцией и усиления ...
|
|
|
137.40
|
|
|
|
|
К174ХА34 |
|
ИС предназначена для приема и обработки сигналов с частотной модуляцией и усиления ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
|
КВ109Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...
|
|
80
|
22.68
|
|
|
|
|
КВ109Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...
|
ДНЕПР
|
412
|
10.60
|
|
|
|
|
КВ109Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...
|
125
|
|
|
|
|
|
|
КВ109Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...
|
660
|
|
|
|
|
|
|
ОМЛТ -0.125 ВТ 620 ОМ 5% |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
