КТ 829В

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
КТ 829В	5 352	25.20

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BYG20J-E3/TR	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
BYG20J-E3/TR	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	Vishay/General Semiconductor
BYG20J-E3/TR	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс	VISHAY
BYG20J-E3/TR	Диод импульсный 600В, 1.5А, 0.075мкс		440	10.07
BYG22D-E3/TR		VISHAY
BYG22D-E3/TR		Vishay/General Semiconductor
BYG22D-E3/TR		VISHAY	1 123
BYG22D-E3/TR				60.80
АОТ128Г	Орел		53	37.80
АОТ128Г	Орел	ПРОТОН	21	113.65
АОТ128Г	Орел	УЛЬЯНОВСК
АОТ128Г	Орел	RUS
АОТ128Г	Орел	УРЛЗ	212	30.24
АОТ128Г	Орел	НПП УРЛЗ	504	69.22
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт		641	34.59
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	КРЕМНИЙ	670	28.35
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	БРЯНСК	1 590	37.80
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	МИНСК
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	УЛЬЯНОВСК
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	RUS
КТ817Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный 45В, 3А, 25Вт	ИНТЕГРАЛ
КТ837Б			74	30.24
КТ837Б		КРЕМНИЙ	52	54.81
КТ837Б		МИНСК
КТ837Б		ВОРОНЕЖ	50	21.00
КТ837Б		БРЯНСК
КТ837Б		ВЗПП	80	35.91
КТ837Б		ИНТЕГРАЛ
КТ837Б		КРЕМН
КТ837Б		КРЕМНИЙ ЭЛ	39	34.12