| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
DC COMPONENTS
|
401
|
10.93
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
ITT
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
RECTRON
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
RECTRON
|
180
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
|
17 252
|
1.81
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
ITT INC.
|
598
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
HOTTECH
|
7
|
2.46
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
PANJIT
|
16
|
2.09
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
|
|
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
SUNTAN
|
164
|
2.66
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
CTK
|
6 896
|
1.32
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
XXW
|
708
|
1.23
|
|
|
|
1N4749A |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 24 V
|
KEEN SIDE
|
16 388
|
1.14
|
|
|
|
IR2153STRPBF |
|
Полумостовой драйвер с автоген. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A, Тбл=1мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2153STRPBF |
|
Полумостовой драйвер с автоген. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A, Тбл=1мкс
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IR2153STRPBF |
|
Полумостовой драйвер с автоген. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A, Тбл=1мкс
|
INFINEON
|
1 125
|
86.79
|
|
|
|
IR2153STRPBF |
|
Полумостовой драйвер с автоген. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A, Тбл=1мкс
|
|
1 181
|
114.69
|
|
|
|
IR2153STRPBF |
|
Полумостовой драйвер с автоген. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.1A/0.21A, Тбл=1мкс
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
635
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
92.13
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
14
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MIC
|
6 348
|
21.61
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YJ
|
7 260
|
19.33
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
|
3 412
|
21.41
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
270
|
51.66
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KLS
|
27 120
|
28.48
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
33 680
|
23.50
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
289
|
14.88
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
1 243
|
14.74
|
|
|
|
MBR20100CT |
|
2 диода Шоттки (общий катод, U=100V, I=20A (2х10А), Vf=0.75V@10A, -65 to +150C)
|
TRR
|
960
|
15.60
|
|
|
|
S-SY3 |
|
|
Johanson Dielectrics Inc
|
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
PWR
|
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
POWER INTEGRATIONS
|
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
PI
|
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
|
8 466
|
92.50
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
POWER INTEGRATIONS
|
32
|
|
|
|
|
|
TNY280GN |
|
Интегральный преобразователь Uвх 230VAC Pвых 36,5W Umax 700V Imax 0,802A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
196
|
|
|