NCP1055P100G


Купить NCP1055P100G по цене 65.34 руб.  (без НДС 20%)
NCP1055P100G
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
NCP1055P100G (ONS) 1 65.34 
NCP1055P100G 112 138.75 
NCP1055P100G (4-7 НЕДЕЛЬ) 67 3-4 недели
Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики NCP1055P100G

Корпус8-PDIP
Корпус (размер)8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Рабочая температура-40°C ~ 150°C
Мощность (Ватт)40W
Напряжение выходное700V
Напряжение входное7.5 V ~ 10 V
Частотный диапозон84 ~ 107kHz
Изоляция выходаIsolated
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop     389 259.07 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   Fairchild Semiconductor Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIRCHILD Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FSC Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   FAIRCHILD 504 372.72 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONS 2 382.28 
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
FGH40N60SFDTU Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) 600V, 40A, Field Stop   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
MJE15033G Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
MJE15033G Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)     Заказ радиодеталей 144.00 
MJE15033G Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)   ONS 128 209.99 
MJE15033G Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)   ON SEMIC Заказ радиодеталей цена радиодетали
MJE15033G Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
MJE15033G Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
MJE15033G Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)   ONS-FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
MJE15033G Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)   SPTECH 769 31.19 
MJE15033G Транзистор PNP (Uce=250V, Ic=16A, Pd=50W, t= -65 to +150C)   JSMICRO 122 32.32 
NCP1055ST100T3G Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223   ONS 1 181.50 
NCP1055ST100T3G Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
NCP1055ST100T3G Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223     1 196.56 
NCP1055ST100T3G Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
NCP1055ST100T3G Микросхема импульсного ИП (AC/DC) с встроенным силовым ключом в корпусе SOT-223   4-7 НЕДЕЛЬ 191 цена радиодетали
NE5532P Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C   NEC Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE5532P Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C   TEXAS INSTRUMENTS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE5532P Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C     40 42.55 
NE5532P Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C   МЕКСИКА Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE5532P Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C   TEXAS Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE5532P Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C   TEXAS INSTRUMEN Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE5532P Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
NE5532P Сдвоенный малошумящий операционный усилитель, GBW=10Mhz, ±22В, 0.+70°C   4-7 НЕДЕЛЬ 344 цена радиодетали
    TIP35CW NPN 100V, 25A, 125W (Comp. TIP36CW)   ST MICROELECTRONICS Заказ радиодеталей цена радиодетали
    TIP35CW NPN 100V, 25A, 125W (Comp. TIP36CW)     Заказ радиодеталей цена радиодетали
    TIP35CW NPN 100V, 25A, 125W (Comp. TIP36CW)   STMicroelectronics Заказ радиодеталей цена радиодетали
    TIP35CW NPN 100V, 25A, 125W (Comp. TIP36CW)   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
    TIP35CW NPN 100V, 25A, 125W (Comp. TIP36CW)   ST MICROELECTRONICS SEMI Заказ радиодеталей цена радиодетали
    TIP35CW NPN 100V, 25A, 125W (Comp. TIP36CW)   ST1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход