B0540WS-7
|
|
Версия для печати
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 500mA |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
| Current - Average Rectified (Io) | 500mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 30V |
| Diode Type | Schottky |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Capacitance @ Vr, F | 125pF @ 0V, 1MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SC-76, SOD-323 |
| Корпус | SOD-323 |
| Product Change Notification | Wire Change 16/Sept/2008 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AP4511GM | APEC |
|
|
|||||
| AP4511GM | 9 | 83.16 | ||||||
| AP4511GM | КИТАЙ |
|
|
|||||
| AP4511GM | ADVANCED POWER |
|
|
|||||
| AP4511GM | 1 |
|
|
|||||
| AP4511GM | 4-7 НЕДЕЛЬ | 306 |
|
|||||
 |
 |
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA |
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) |
|
|
||
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MURATA | 3 840 |
|
|
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | Murata Electronics North America |
|
|
|
|
|
|
LQH32CN100K53L |
|
Индуктивность чип на феррите 10 мкГн, 10%, 300мА (1210) | MUR | 8 464 | 5.30 | |
| LQH32PN100MN0L |
|
|
||||||
| LQH32PN100MN0L | Murata Electronics North America |
|
|
|||||
| LQH32PN100MN0L | MUR | 18 675 | 7.28 | |||||
| LQH32PN100MN0L | MURATA | 2 000 | 16.29 | |||||
| MAX1896 | MAX |
|
|
|||||
| ПР2-5П2НВР |
|
10 600.00 |
