|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805-10K 1% |
|
ЧИП - резистор 10 кОм, 1%, 0.125Вт
|
|
|
1.08
>500 шт. 0.36
|
|
|
|
293D336X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
293D336X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В
|
Vishay/Sprague
|
|
|
|
|
|
293D336X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В
|
VISHAY
|
10 701
|
17.50
|
|
|
|
293D336X9016C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 33 мкФ 16 В
|
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
119
|
75.60
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
|
1 312
|
88.80
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
МЕКСИКА
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
VBSEMI
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
IRF640N |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, ...
|
EVVO
|
772
|
38.56
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MASTER INSTRUMENT CO
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
CENTRAL SEMI
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FAIRCHILD
|
12 903
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
DC COMPONENTS
|
6 212
|
2.44
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MIC
|
30 251
|
2.44
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
|
10 130
|
1.56
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YJ
|
40 158
|
13.43
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
GALAXY ME
|
4 152
|
2.76
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YANGJIE
|
32 000
|
2.46
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
HOTTECH
|
3 446
|
2.54
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
1
|
|
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
MDD
|
859
|
2.67
|
|
|
|
UF4007 |
|
Ультрабыстрый выпрямительный диод (Vr=1000V, I=1A, Ifsm=30A, Vf=1.7V@I=1A)
|
SUNTAN
|
424
|
2.61
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
DC COMPONENTS
|
8 847
|
11.30
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
|
8 734
|
9.54
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
W08M |
|
Диодный мост (Max) 800V (If) 1.5A Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
|
HOTTECH
|
785
|
11.72
|
|