| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
|
|
18.80
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
LGE
|
|
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
LUGUANG
|
2 255
|
5.33
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
SMCMICRO
|
17 480
|
7.48
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
SUNMATE
|
18 740
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
10MQ040N |
|
Диод Шоттки выпрямительны, I=2,1.5A, U=40V, t=- 55...+150 °C
|
SMC DIODE SOLUTIONS
|
2 649
|
7.70
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC
|
342 808
|
1.29
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DC COMPONENTS
|
91 380
|
1.21
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
|
61 111
|
1.36
>100 шт. 0.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
325
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LI-SION TECHNOLOGY INC.
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP
|
4 345
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
27 200
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
FAIRCHILD
|
3 467
|
1.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
INFINEON
|
800
|
5.47
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECH
|
508 304
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
ARK
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KLS
|
566
|
1.51
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NEXPERIA
|
312 397
|
1.20
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SEMTECH
|
220
|
1.36
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
PJ
|
6 378
|
1.22
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGJIE
|
1 929 859
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YJ
|
1 280 774
|
1.08
>100 шт. 0.54
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JSCJ
|
191 188
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR
|
104 000
|
1.03
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
SUNTAN
|
13 650
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
JINGDAO
|
15 744
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
TRR ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
HOTTECCN
|
1 710
|
1.68
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
CJ
|
8 000
|
4.39
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
KEEN SIDE
|
212 404
|
1.38
>500 шт. 0.46
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
2138
|
|
|
|
|
|
BAV99 |
|
2 импульсных диода (последовательное вкл-е, Vr=75V, If=0.215A, Ifsm=1A@t=1ms, trr=4ns)
|
4334
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C3V6.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 3,6V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C3V6.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 3,6V
|
NEX-NXP
|
2
|
3.27
|
|
|
|
|
BZX84-C3V6.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 3,6V
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
|
BZX84-C3V6.215 |
|
SMD Стабилитрон 0,3W 3,6V
|
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
2 869
|
4.66
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
|
38 792
|
3.24
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
472
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
LTL
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
LF
|
4 678
|
14.70
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
EIC
|
4
|
12.05
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
BRIGHTKING
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
JJM
|
19 520
|
4.59
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
KLS
|
3 857
|
7.69
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
YOUTAI
|
115 401
|
1.57
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
32
|
4.13
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
YJ
|
72 548
|
3.68
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
YANGJIE
|
4 800
|
3.16
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
VISHAY
|
35 200
|
8.82
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
TRR
|
2 400
|
3.06
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
ELECSUPER
|
63
|
2.88
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
1 552
|
2.31
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
17 341
|
2.31
|
|
|
|
|
SMBJ30A |
|
Супрессор однонаправленный smd (Vbr=30V, tol=5%, P=600W(peak), -65 to +150C)
|
5848
|
|
|
|
|
|
|
SWT-7 |
|
|
BM
|
293
|
14.03
|
|
|
|
|
SWT-7 |
|
|
|
5
|
14.03
|
|
|
|
|
SWT-7 |
|
|
TYCO
|
|
|
|
|
|
|
SWT-7 |
|
|
KLS
|
|
|
|
|
|
|
SWT-7 |
|
|
RUICHI
|
|
|
|