NTR1P02LT1
Power mosfet ?20 v, ?1.3 a, p?channel sot?23 package
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220 mOhm @ 750mA, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.3A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.5nC @ 4V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 225pF @ 5V |
| Power - Max | 400mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
NTR1P02LT1 (MOSFET) Power MOSFET ?20 V, ?1.3 A, P?Channel SOT?23 Package
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805 0.1UF X7R 10% 50V |
|
|
||||||
 |
LMC6484AIM | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LMC6484AIM | NSC |
|
|
||||
|
|
LMC6484AIM |
|
297.12 | |||||
|
|
LMC6484AIM | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LMC6484AIM | 4-7 НЕДЕЛЬ | 113 |
|
||||
| К142ЕН19АП |
|
27.20 | ||||||
| К142ЕН19АП | КРЕМНИЙ | 266 | 24.57 | |||||
 |
|
561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В | 800 | 37.80 | ||
|
|
|
561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП |
|
|
|
|
|
|
561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В | НОВОСИБИРСК |
|
|
|
|
|
|
561ТМ2 |
|
2 D-триггера, Время задержки 50 нс(типовое), мощность потребления 0,4 мкВт/вентиль, 3-15 В | ХАБАРОВСК |
|
|
|
| ЧИП 0805 510 5% | YAGEO |
|
|
|||||
| ЧИП 0805 510 5% | ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) |
|
|
|||||
| ЧИП 0805 510 5% | ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) |
|
|
