Версия для печати
Технические характеристики NTR1P02LT1

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	220 mOhm @ 750mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	1.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	5.5nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	225pF @ 5V
Power - Max	400mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23-3

NTR1P02LT1 (MOSFET) Power MOSFET ?20 V, ?1.3 A, P?Channel SOT?23 Package Производитель: ON Semiconductor NTR1P02LT1 datasheet 124.3 Кб

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)			109.28
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NSC
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	TEXAS INSTRUMENTS
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NATIONAL SEMICONDUCTOR	16
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	NS	10	157.50
		LM1117DT-ADJ		Линейный СН ``low drop`` (Vout=1.2513.8V, tol=1%, I=0.8A, Vin(max)=20V)	4-7 НЕДЕЛЬ	127
		MAX232ACSE		Трансивер RS-232 многоканальный +5V	MAXIM
		MAX232ACSE		Трансивер RS-232 многоканальный +5V		4	120.25
		MAX232ACSE		Трансивер RS-232 многоканальный +5V	MAXIM	3
		MAX232ACSE		Трансивер RS-232 многоканальный +5V	MAX
		MAX232ACSE		Трансивер RS-232 многоканальный +5V	YOUTAI	651	30.82
		MAX232ACSE		Трансивер RS-232 многоканальный +5V	4-7 НЕДЕЛЬ	792
		КТ3129А9				968	19.87
		КТ3129А9			АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3129А9			ДАЛЕКС	1 448	28.53
		КТ3129А9			RUS
		КТ3129А9			ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3129А9			ЭЛЕКС	800	8.69
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц		1	13.62
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ДАЛЕКС	2 737	31.73
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	RUS
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ООО "НПК"ДАЛЕКС" Г. АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3130А9		Транзистор кремниевые структуры n-p-n усилительный 100мВт,100 мА, 50В, 150МГц	ИНТЕГРАЛ
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		10 516	41.40
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР	32	59.29
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	23 948	48.30
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 440	113.65
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
		КТ972А		Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"