Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Transistor Type | PNP |
Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
Power - Max | 350mW |
Frequency - Transition | 200MHz |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Корпус | SOT-23 |
Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
AD9280ARSZ-REEL7 |
|
|
ANALOG DEVICES
|
|
|
|
|
|
B32922C3104K |
|
|
EPCOS
|
16 649
|
9.73
|
|
|
|
B32922C3104K |
|
|
|
|
|
|
|
|
B32922C3104K |
|
|
TDK (EPCOS)
|
|
|
|
|
|
B32922C3104K |
|
|
TDK-EPC
|
|
|
|
|
|
B32922C3104K |
|
|
TDK EPCOS
|
3 200
|
20.66
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
22 722
|
2.27
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
48 968
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
43 272
|
1.05
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
46 819
|
1.25
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
36 135
|
1.20
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
7 660
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
SN74LVC2G74DCTR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74LVC2G74DCTR |
|
|
|
|
84.00
|
|
|
|
SN74LVC2G74DCTR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
SN74LVC2G74DCTR |
|
|
TEXAS
|
2 240
|
32.74
|
|
|
|
SN74LVC2G74DCTR |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
SN74LVC2G74DCTR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
358
|
|
|
|
|
X7R 2200PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор выводной радиальный 2200 пФ, 50 В, 10%
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
X7R 2200PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор выводной радиальный 2200 пФ, 50 В, 10%
|
КИТАЙ
|
|
|
|