| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
134 240
|
2.12
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
|
|
4.00
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS
|
1
|
2.29
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 533
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
VBSEMI
|
2 940
|
2.80
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMI
|
128
|
2.73
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
167800
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
161
|
|
|
|
|
|
DHR-78F |
|
гнездо 78 pin высокой плотности на плату
|
|
|
758.40
|
|
|
|
DHR-78F |
|
гнездо 78 pin высокой плотности на плату
|
BM
|
|
|
|
|
|
DHR-78F |
|
гнездо 78 pin высокой плотности на плату
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
DHR-78F |
|
гнездо 78 pin высокой плотности на плату
|
CONNFLY
|
|
|
|
|
|
DHR-78F |
|
гнездо 78 pin высокой плотности на плату
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L-7104EB/2GD |
|
2 светодиода в держателе, Green/Green
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
L-7104EB/2GD |
|
2 светодиода в держателе, Green/Green
|
KB
|
|
|
|
|
|
L-7104EB/2GD |
|
2 светодиода в держателе, Green/Green
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
L-7104EB/2GD |
|
2 светодиода в держателе, Green/Green
|
|
10
|
|
|
|
|
L-7104EB/2GD |
|
2 светодиода в держателе, Green/Green
|
KGB
|
12 159
|
53.15
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
LITTELFUSE
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
DC COMPONENTS
|
10 801
|
3.69
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
MCC
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
LITTELFUSE
|
384
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
Littelfuse Inc
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
|
14 320
|
3.05
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
LTL
|
2 400
|
8.46
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
MICROSEMI
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
TSC
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
BRIGHTKING
|
29
|
7.42
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
WAYON
|
56
|
10.47
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
JJM
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
HOTTECH
|
19 547
|
4.10
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
YJ
|
18 857
|
2.52
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
1
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
TRR
|
16 400
|
2.49
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
KEEN SIDE
|
10 796
|
2.81
|
|
|
|
SMBJ18A |
|
Защитный диод 18В 600Вт SMD
|
DIODES
|
126
|
10.60
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
8 689
|
19.63
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
|
23 840
|
6.17
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
NXP
|
161
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS
|
8 000
|
8.58
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
TEXASINSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
408
|
|
|
|
|
TL431IDBZR |
|
|
2845
|
|
|
|