Версия для печати
Технические характеристики MBR760

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	60V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	750mV @ 7.5A
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Current - Average Rectified (Io)	7.5A
Current - Reverse Leakage @ Vr	500µA @ 60V
Diode Type	Schottky
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-2
Корпус	TO-220AC
Capacitance @ Vr, F	400pF @ 4V, 1MHz

MBR Диод andoslash;оттки Также в этом файле: MBR 760 Производитель: Воронежский Завод Полупроводниковых РџСЂРёР±РѕСЂРѕРІ //web.vrn.ru/vzpp/ MBR760 datasheet 132.32Kb 2стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Диоды

 » 

Диоды, выпрямители - одиночные

Синонимы от поставщиков: MBR760 ; MBR-760 ; MBR 760 ; MBR — 760 ; MBR760 ; диод MBR760 ;

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	FAIR
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	RFE INTERNATIONAL
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	DC COMPONENTS	38 582	1.96  >100 шт.   0.98
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	CHINA
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	RF ELECT/RFE INTERNATIONAL
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	GALAXY
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	FAIRCHILD
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	ON SEMICONDUCTOR
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	RF ELECT./RFE INTERNATIONAL
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	LIJIE ELECTRONICS
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	YJ ELECTRONIC CORP
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	Fairchild Semiconductor
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	MIC	6 233	1.25
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	КИТАЙ	268	5.47
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	MCC
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	KINGTRON
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)		35 608	1.26
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	KINGTRONICS	18 044	1.79
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	ONS-FAIR
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	ONS
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	YJ
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	GALAXY ME
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	LIJIE EL	1	1.55
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	SUNTAN	1 392	3.40
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	MIG	3 200	1.79
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	YANGJIE (YJ)
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	WUXI XUYANG	2 518	1.70
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	1
		1N4937		Быстрый выпрямительный диод (Vr=600V, I=1A, t=250ns, -55 to +150C)	KEEN SIDE	415	1.98  >100 шт.   0.99
		К73-9-3300ПФ 630В (5%)
		КД2999А		Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс		12	109.44
		КД2999А		Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс	ФОТОН
		КД2999А		Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс	СЗТП	4	351.36
		КД2999А		Кремниевый диод большой мощности 200В, 20А, 100 кГц, 0,2мкс	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО
		КР1033ЕУ15А					80.64
		КР1033ЕУ15А			СИТ
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	КРЕМНИЙ	220	1 171.20
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А		22	592.00
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	БРЯНСК	129	1 244.05
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	СИТ
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	RUS
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	1
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	104
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	24
		КТ825Г		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный 90В, 20А	88

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"