Версия для печати
Технические характеристики LM3900N

Корпус	14-PDIP
Корпус (размер)	14-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Рабочая температура	0°C ~ 70°C
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	4.5 V ~ 32 V, ±2.2 V ~ 16 V
Ток выходной / канал	10mA
Ток выходной	6.2mA
Ток - входного смещения	30nA
Полоса пропускания	2.5MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	20 V/µs
Число каналов	4
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

LM3900 (Усилители) Quad Amplifiers Также в этом файле: LM3900N Производитель: National Semiconductor //www.national.com LM3900N datasheet 324.01Kb 20стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Обработка сигналов

 » 

Усилители

 » 

Операционные, буферные усилители

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	26 208	1.50
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	274 642	1.47
		1N4007			DIOTEC	112 849	2.78
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	228 457	1.28
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	800	4.54
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				266 205	1.66  >100 шт.   0.83
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	44 073	1.03
		1N4007			HOTTECH	531 825	2.32
		1N4007			KLS	96 000	2.07
		1N4007			YS
		1N4007			YANGJIE	8 800	1.56
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA	14 461	1.09
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	81 826	1.88
		1N4007			TWGMC	55 780	1.38  >500 шт.   0.46
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	112	1.89
		1N4007			ASEMI	36 280	1.12
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	NEC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS	266	32.13
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	UTC
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА		32	14.76
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTRONICS
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRONICS SEMI	5
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	Fairchild Semiconductor
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	КИТАЙ
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST1
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	ST MICROELECTRO
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	STMICROELECTR
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	HGSEMI	4 290	11.54
		NE555N		Таймеp прецизионный 16В, DIP- 8, 600мВт, 4.5 -16В, 3 -15мА	4-7 НЕДЕЛЬ	552
		NE556N			NEC
		NE556N			ST MICROELECTRONICS	266	35.91
		NE556N					33.68
		NE556N			ST MICROELECTRONICS SEMI
		NE556N			STMicroelectronics
		NE556N			Texas Instruments
		NE556N			TEXAS INSTRUMENTS	16
		NE556N			КИТАЙ
		NE556N			ST MICROELECTR
		NE556N			TEXAS	848	28.89
		NE556N			ST1
		NE556N			ST MICROELECTRO
		NE556N			TEXAS INSTRUMEN
		NE556N			4-7 НЕДЕЛЬ	309
		PT2399		Микросхема	PTC
		PT2399		Микросхема			96.00
		PT2399		Микросхема	PRINCETON
		PT2399		Микросхема	4-7 НЕДЕЛЬ	165
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS	80	34.02
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS		8	75.60
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRONICS SEMI
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	STMICROELECTRONICS
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	КИТАЙ
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	МАЛАЙЗИЯ
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTR
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST1
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	ST MICROELECTRO
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	1
		TL082CN		Операционный усилитель сдвоенный, JFET, 4MHz, 13V/uS	4-7 НЕДЕЛЬ	749

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"