IRLR8113TRPBF
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 mOhm @ 15A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 94A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 32nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2920pF @ 15V |
| Power - Max | 89W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.125ВТ 0805 100 ОМ, 1% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
| 0.125ВТ 0805 51 ОМ, 1% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
| AH-100, 100 ВТ, 0.1 ОМ, 5% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
| AH-25, 25 ВТ, 0.1 ОМ, 5% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
| НКИ 2.5-4 (30 ШТ.) | КВТ |
|
|
