IRG4BC20KD
Транзистор IGBT модуль единичный
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 9A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 16A |
| Power - Max | 60W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRG4BC20KD-S (IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)) Insulated Gate Bipolar Transistor
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
0805-1.0 5% |
|
ЧИП — резистор | FAITHFUL LINK |
|
|
||
|
|
0805-1.0 5% |
|
ЧИП — резистор | 1 560 |
1.60 >100 шт. 0.80 |
|||
| 08055C222KAT2A |
|
Конденсатор SMD 2,2нФ 0805 50В X7R 10% | AVX |
|
|
|||
| 08055C222KAT2A |
|
Конденсатор SMD 2,2нФ 0805 50В X7R 10% | AVX |
|
|
|||
| 08055C222KAT2A |
|
Конденсатор SMD 2,2нФ 0805 50В X7R 10% | AVX Corporation |
|
|
|||
| 08055C222KAT2A |
|
Конденсатор SMD 2,2нФ 0805 50В X7R 10% |
|
|
||||
| 08055C222KAT2A |
|
Конденсатор SMD 2,2нФ 0805 50В X7R 10% | KYOCERA-AVX |
|
|
|||
| 1206-X7R-5600PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 5600 пФ 50 В | KOME |
|
|
|||
| 1206-X7R-5600PF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 5600 пФ 50 В | 24 | 1.24 | ||||
 |
|
IRF1010N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W | INTERNATIONAL RECTIFIER | 400 | 144.45 | |
|
|
|
IRF1010N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W |
|
93.68 | ||
|
|
|
IRF1010N |
|
Транзистор полевой N-MOS 55V, 72A, 130W | INFINEON |
|
|
|
 |
|
IRG4PH30KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRG4PH30KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный |
|
462.56 | ||
|
|
|
IRG4PH30KD |
|
Транзистор IGBT модуль единичный | INFINEON |
|
|
