IRFL9014
Транзистор полевой
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 1.1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.8A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRFL9014 (P-канальные транзисторные модули) Power MOSFET
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0805-X7R-0.010UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.010 мкФ 50 В | MURATA |
|
|
|||
| 0805-X7R-0.010UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.010 мкФ 50 В |
|
4.80 | ||||
 |
 |
74HC14PW,112 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
74HC14PW,112 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
74HC14PW,112 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
74HC14PW,112 |
|
|
|
|||
 |
|
HIP9011ABZ |
|
Процессор сигнальный для ДВС | INTERSIL |
|
|
|
|
|
|
HIP9011ABZ |
|
Процессор сигнальный для ДВС | 3 984 | 281.60 | ||
| IRLL024N SOT223 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRLL024N SOT223 |
|
|
||||||
|
|
LM35DM | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM35DM | NSC |
|
|
||||
|
|
LM35DM |
|
97.32 | |||||
|
|
LM35DM | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM35DM | КИТАЙ |
|
|
||||
|
|
LM35DM | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LM35DM | TEXAS INSTRUMENTS | 3 | 182.01 |
