Версия для печати
Технические характеристики HEF4043BT

Корпус	16-SO
Корпус (размер)	16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип монтажа	Поверхностный
Рабочая температура	-40°C ~ 85°C
Ток выходной макс., мин.	3mA, 3mA
Время задержки	15ns
Независимые Каналы	4
Напряжение питания	3 V ~ 15 V
Тип выхода	Tri-State
Каналы	1:1
Логический тип	S-R Latch
Серия	4000B
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

HEF4043B (Регистр-защелки) Quadruple R / s Latch With 3-state Outputs Также в этом файле: HEF4043BT Производитель: Philips Semiconductors //www.semiconductors.philips.com HEF4043BT datasheet 49.88Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Микросхемы

 » 

Логические элементы

 » 

Регистр-защелки

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		DS-08 (SWD1-8)		Микровыключатели серии DS рассчитаны на монтаж пайкой на печатной плате либо на ...	CHINA
		DS-08 (SWD1-8)		Микровыключатели серии DS рассчитаны на монтаж пайкой на печатной плате либо на ...			22.40
		ESP1010			ECE	7 976	59.56
		ESP1010
		ILX485N		Интерфейс RS-485 5МБит/с 0..+70С	ЗПП
		ILX485N		Интерфейс RS-485 5МБит/с 0..+70С	ЗПП МИНСК
		ILX485N		Интерфейс RS-485 5МБит/с 0..+70С			96.64
		ILX485N		Интерфейс RS-485 5МБит/с 0..+70С	4-7 НЕДЕЛЬ	231
		KP-2012SYC		Светодиод SMD 0805 желтый 36-100мКд 120°	KB
		KP-2012SYC		Светодиод SMD 0805 желтый 36-100мКд 120°	KINGBRIGHT	1	15.50
		KP-2012SYC		Светодиод SMD 0805 желтый 36-100мКд 120°			8.96
		KP-2012SYC		Светодиод SMD 0805 желтый 36-100мКд 120°	KGB	27 335	13.17
		KP-2012SYC		Светодиод SMD 0805 желтый 36-100мКд 120°	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		KP-2012SYC		Светодиод SMD 0805 желтый 36-100мКд 120°	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KP-2012SYC		Светодиод SMD 0805 желтый 36-100мКд 120°	КИТАЙ
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный		427	9.20
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	МИНСК	5 992	16.96
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ЗПП МИНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	БРЯНСК
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	RUS
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	КРЕМНИЙ	800	12.49
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	ТРАНЗИСТОР	2 880	49.59
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	1404
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	348
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	570
		КТ3117А1		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n импульсный	6000

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"