| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
40
|
1.07
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
8 478
|
1.91
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
INFINEON
|
378
|
2.25
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
DIOTEC
|
132
|
1.70
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
|
|
6.32
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS
|
888
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
NXP
|
2 191
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
18 818
|
1.70
>100 шт. 0.85
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
YJ
|
270 664
|
1.03
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
47 100
|
1.96
>100 шт. 0.98
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
SLKOR
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
XSEMI
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
10 685
|
1.50
>100 шт. 0.75
|
|
|
|
BAS70-04 |
|
2 диода Шоттки (посл. соед., Vr=70V, If=70mA, Vf=0.41V@I=1mA, C=2.0pF@1MHz, -55 to +150C)
|
14895
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
|
6
|
33.30
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
HGSEMI
|
1 419
|
16.22
|
|
|
|
CD4013BE |
|
Стандартная логика DUAL D-TYPE FLIP-FLOP, 24МГц, 45нс, 3-18В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
510
|
|
|
|
|
|
КД 212 А |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КД 212 А |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ 3102 А |
|
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ603А |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...
|
|
364
|
53.09
|
|
|
|
КТ603А |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...
|
ПЛАНЕТА
|
2 217
|
35.80
|
|
|
|
КТ603А |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ603А |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...
|
СВЕТЛАНА
|
|
|
|
|
|
КТ603А |
|
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n, для применения в ...
|
ВОРОНЕЖ
|
|
|
|