|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SPRAGUE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CDIL
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DC COMPONENTS
|
5 178
|
4.94
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
DIOTEC
|
11 764
|
3.97
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
КИТАЙ
|
952
|
3.10
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
МИНСК
|
2 052
|
4.20
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
|
4 800
|
1.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
INCHANGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
HOTTECH
|
71 192
|
0.65
>1000 шт. 0.13
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
LGE
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CHINA
|
22 400
|
2.00
>100 шт. 1.00
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
OLITECH
|
|
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
CJ
|
4 604
|
2.02
|
|
|
|
2N5401 |
|
Транзистор PNP высокочастотный (Uce=150V, Ic=0.3A, P=630mW, B=60-240@I=10mA, f>100MHz, ...
|
1
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
HITACHI
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
|
|
40.00
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
HIT
|
133
|
57.21
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
UNISONIC
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2SB649AC |
|
Транзистор биполярный PNP высокочастотный
|
DE
|
|
|
|
|
|
CD4081BE |
|
(КР1561ЛИ2) PDIP14
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
CD4081BE |
|
(КР1561ЛИ2) PDIP14
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
CD4081BE |
|
(КР1561ЛИ2) PDIP14
|
|
22
|
55.50
|
|
|
|
CD4081BE |
|
(КР1561ЛИ2) PDIP14
|
TEXAS
|
632
|
43.27
|
|
|
|
CD4081BE |
|
(КР1561ЛИ2) PDIP14
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
29
|
|
|
|
|
CD4081BE |
|
(КР1561ЛИ2) PDIP14
|
TEXAS INSTRUMEN
|
|
|
|
|
|
CD4081BE |
|
(КР1561ЛИ2) PDIP14
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
531
|
|
|
|
|
HEF4017BP |
|
(КР1561ИЕ8) PDIP16
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
HEF4017BP |
|
(КР1561ИЕ8) PDIP16
|
NXP
|
|
|
|
|
|
HEF4017BP |
|
(КР1561ИЕ8) PDIP16
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
HEF4017BP |
|
(КР1561ИЕ8) PDIP16
|
|
|
26.00
|
|
|
|
HEF4017BP |
|
(КР1561ИЕ8) PDIP16
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
724
|
|
|
|
|
ICE2A265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=100kHz, Pout=32W
|
INFINEON
|
27
|
213.15
|
|
|
|
ICE2A265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=100kHz, Pout=32W
|
|
4
|
279.72
|
|
|
|
ICE2A265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=100kHz, Pout=32W
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
ICE2A265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=100kHz, Pout=32W
|
США
|
|
|
|
|
|
ICE2A265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=100kHz, Pout=32W
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ICE2A265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=100kHz, Pout=32W
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
ICE2A265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=100kHz, Pout=32W
|
1
|
|
|
|
|
|
ICE2A265 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/2A, Fosc=100kHz, Pout=32W
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
478
|
|
|