| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 3.5A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 405pF @ 10V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Product Change Notification | Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
ATTINY25-20PU |
|
8 - бит микроконтроллер 2кБ Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 32x8 register, ...
|
ATMEL
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY25-20PU |
|
8 - бит микроконтроллер 2кБ Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 32x8 register, ...
|
|
|
228.00
|
|
|
|
|
ATTINY25-20PU |
|
8 - бит микроконтроллер 2кБ Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 32x8 register, ...
|
США
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY25-20PU |
|
8 - бит микроконтроллер 2кБ Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 32x8 register, ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY25-20PU |
|
8 - бит микроконтроллер 2кБ Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 32x8 register, ...
|
MICRO CHIP
|
89
|
288.29
|
|
|
|
|
ATTINY25-20PU |
|
8 - бит микроконтроллер 2кБ Flash, 128 bytes EEPROM, 128 bytes SRAM, 32x8 register, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
692
|
|
|
|
|
|
ATTINY25-20SU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 2K-Flash 20MHz
|
ATMEL
|
200
|
320.29
|
|
|
|
|
ATTINY25-20SU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 2K-Flash 20MHz
|
|
|
192.00
|
|
|
|
|
ATTINY25-20SU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 2K-Flash 20MHz
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY25-20SU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 2K-Flash 20MHz
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
ATTINY25-20SU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 2K-Flash 20MHz
|
MICRO CHIP
|
629
|
330.62
|
|
|
|
|
ATTINY25-20SU |
|
ISP-MC 8 BIT 2,7-5,5V 2K-Flash 20MHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
715
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
KB
|
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L-32P3C(L-3DP3C) |
|
Фототранзистор 3мм, Iтемн 100нА, 30В
|
|
|
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
KB
|
32 132
|
12.34
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
KINGBRIGHT
|
299
|
4.30
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
|
|
9.52
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
KGB
|
20 722
|
13.66
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L-34F3C |
|
Единичный светодиод инфракрасный d=3мм, 940нм, 20мВт
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS
|
14 432
|
7.48
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
|
3 635
|
5.13
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
3 010
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
Rohm Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
LM358DT |
|
Сдвоенный операционный усилитель
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
674
|
|
|
Версия для печати
