ER2D-T

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MCR100-6G TO92	Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA
MUR200
MUR200
SS9013G		SAMSUNG
SS9013G		ПЛАНЕТА
SS9013G				16.00
SS9013G		Џ‹ЂЌ…’Ђ
TC4069UBFT(EL,N,M)		TOSHIBA	1 815
TIP147T	Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	FAIR
TIP147T	Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	FAIRCHILD
TIP147T	Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А		1	216.72
TIP147T	Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	FAIRCHILD
TIP147T	Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	Fairchild Semiconductor
TIP147T	Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	STMicroelectronics
TIP147T	Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	ST MICROELECTRONICS	113	129.15
TIP147T	Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	STMICROELECTR
TIP147T	Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	ONS-FAIR
TIP147T	Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	ONS	209	69.70
TIP147T	Силовой биполярный транзистор структуры PNP 100В, 10А	1