BZV55-B10

Версия для печати

Технические характеристики BZV55-B10

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	10V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	900mV @ 10mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	200nA @ 7V
Допустимые отклонения емкости	±2%
Power - Max	500mW
Impedance (Max) (Zzt)	20 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	SOD-80C
Корпус	LLDS; MiniMelf
Рабочая температура	-65°C ~ 200°C

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BZV55-B20	Стабилитрон , Ptot,Вт 0.5, VZ,В 20, Точн,% 2, Izt,мА 5	PHILIPS
BZV55-B20	Стабилитрон , Ptot,Вт 0.5, VZ,В 20, Точн,% 2, Izt,мА 5	PHILIPS	4 800
GRM1885C2A102JA01D		MURATA
GRM1885C2A102JA01D		MURATA
GRM1885C2A102JA01D				4.00
GRM1885C2A102JA01D		Murata Electronics North America
GRM1885C2A102JA01D		MUR	65 234	1.52 >100 шт. 0.76
GRM2165C1H152JA01D	Керамический конденсатор 1500 пФ 50 В	MURATA	4 536	7.66
GRM2165C1H152JA01D	Керамический конденсатор 1500 пФ 50 В	MURATA
GRM2165C1H152JA01D	Керамический конденсатор 1500 пФ 50 В			8.00
GRM2165C1H152JA01D	Керамический конденсатор 1500 пФ 50 В	Murata Electronics North America
GRM2165C1H152JA01D	Керамический конденсатор 1500 пФ 50 В	MUR	26 206	1.46 >100 шт. 0.73
LM5575MH		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5575MH		NSC
LM5575MH				488.72
LM5575MH		TEXAS INSTRUMENTS	11	158.90
LM5575MH		NATIONAL SEMICONDUCTOR
LM5575MH		TEXAS
LM5575MH		4-7 НЕДЕЛЬ	650
ЧИП 2512 51 5%		YAGEO
ЧИП 2512 51 5%		ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
ЧИП 2512 51 5%		ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)