BZT52C2V4-13
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 2.4V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 10mA |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50µA @ 1V |
| Допустимые отклонения емкости | ±8.33% |
| Power - Max | 500mW |
| Impedance (Max) (Zzt) | 100 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | SOD-123 |
| Корпус | SOD-123 |
| Рабочая температура | -65°C ~ 150°C |
| Tolerance | ±8.33% |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BZV55-B2V4 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BZV55-B2V4 | NXP |
|
|
||||
|
|
BZV55-B2V4 | NXP | 1 471 |
|
||||
|
|
BZV55-B2V4 | PHILIPS | 5 282 |
|
||||
| BZV55C3V9 |
|
Стабилитрон 0,5W 3,9V | 98 364 |
1.10 >100 шт. 0.55 |
||||
| BZV55C3V9 |
|
Стабилитрон 0,5W 3,9V | NXP |
|
|
|||
| BZV55C3V9 |
|
Стабилитрон 0,5W 3,9V | PHILIPS |
|
|
|||
| BZV55C3V9 |
|
Стабилитрон 0,5W 3,9V | ST MICROELECTRONICS | 480 |
1.70 >100 шт. 0.85 |
|||
| BZV55C3V9 |
|
Стабилитрон 0,5W 3,9V | HOTTECH | 35 576 |
1.58 >100 шт. 0.79 |
|||
| BZV55C3V9 |
|
Стабилитрон 0,5W 3,9V | KLS |
|
|
|||
| BZV55C3V9 |
|
Стабилитрон 0,5W 3,9V | 1 |
|
|
|||
| BZV55C3V9 |
|
Стабилитрон 0,5W 3,9V | OLITECH | 20 | 1.41 | |||
| BZV55C3V9 |
|
Стабилитрон 0,5W 3,9V | CTK |
|
|
|||
| MMA7660FCT | FRS |
|
|
|||||
| MMA7660FCT | FREESCALE |
|
|
|||||
| MMA7660FCT |
|
488.80 | ||||||
| MMA7660FCT | Freescale Semiconductor |
|
|
|||||
| MMA7660FCT | NXP/FRS |
|
|
|||||
| MMA7660FCT | NXP |
|
|
|||||
 |
NJM78L03UA-TE1 | MATSUSHITA |
|
|
||||
|
|
NJM78L03UA-TE1 | JRC | 527 | 22.09 | ||||
|
|
NJM78L03UA-TE1 |
|
42.00 | |||||
|
|
NJM78L03UA-TE1 | NJR |
|
|
||||
|
|
NJM78L03UA-TE1 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 238 |
|
||||
| SIM900R [S2-1047P-Z093A/B04] | SIMCOM |
|
|
|||||
| SIM900R [S2-1047P-Z093A/B04] |
|
|
