Версия для печати
Технические характеристики BC637

Корпус	TO-92-3
Корпус (размер)	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Тип монтажа	Выводной
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	1W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 150mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	60V
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

BC635 NPN Silicon AF Transistors (High current gain High collector current) Также в этом файле: BC637 Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BC637 datasheet 130.1Kb 5стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	КРЕМНИЙ
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...		109	15.12
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	АЛЕКСАНДРОВ	160	6.30
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	МИНСК
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	БРЯНСК	6 147	17.43
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	НАЛЬЧИК
		КТ503Г		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ...	ЭЛЕКС	552	46.49

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BAT85		Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	NXP
		BAT85		Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	PHILIPS
		BAT85		Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	DC COMPONENTS	1 159	2.64
		BAT85		Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35			12.24
		BAT85		Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	NXP	14
		BAT85		Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	OTHER
		BAT85		Ограничительный диод Шоттке SB-D 30В, 0.2A, 5нс, DO35	PHILIPS	22 181
		BC328-25		TO-92	FAIR
		BC328-25		TO-92	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BC328-25		TO-92	NXP
		BC328-25		TO-92			16.00
		BC328-25		TO-92	FAIRCHILD
		BC328-25		TO-92	FAIRCHILD
		BC328-25		TO-92	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BF959		Транзистор ВЧ 600МГц 20В/100мА	ON SEMICONDUCTOR
		BF959		Транзистор ВЧ 600МГц 20В/100мА	CONTINENTAL DEVICE INDIA
		BF959		Транзистор ВЧ 600МГц 20В/100мА			20.76
		BF959		Транзистор ВЧ 600МГц 20В/100мА	ON SEMICONDUCTOR	2 508
		PIC16F688-I/P			MICRO CHIP	17	304.12
		PIC16F688-I/P				3	352.80
		PIC16F688-I/P			MICRO CHIP	39
		PIC16F688-I/P			Microchip Technology
		PIC16F688-I/P			ТАИЛАНД
		PIC16F688-I/P			0.00
		PIC16F688-I/P			4-7 НЕДЕЛЬ	39
		PIC18F2550-I/SP		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz	MICRO CHIP	62	987.21
		PIC18F2550-I/SP		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz		1	1 476.72
		PIC18F2550-I/SP		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz	Microchip Technology
		PIC18F2550-I/SP		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz	ТАИЛАНД
		PIC18F2550-I/SP		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz	MICRO CHIP
		PIC18F2550-I/SP		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz	1
		PIC18F2550-I/SP		Микроконтроллер широкого применения 16Kx16 Flash 23I/O 48MHz	4-7 НЕДЕЛЬ	733

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"