|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BC637 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC637 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BC637 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC637 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC637 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC637 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
SIEMENS
|
|
|
|
|
|
BC637 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC637 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC637 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
BC637 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC637 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC637 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
OTHER
|
818
|
|
|
|
|
BC637 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
PHILIPS
|
8 960
|
|
|
|
|
BC637 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BC637 |
|
Транзистор биполярный малой мощности NPN 60V, 1A, 0.8W, 130MHz
|
|
|
8.44
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
2 904
|
2.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DC COMPONENTS
|
13 813
|
2.14
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
DIOTEC
|
35 963
|
3.11
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ES
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS
|
486
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
PHILIPS SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
HOTTECH
|
523 695
|
1.62
>100 шт. 0.81
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
|
45 726
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
KOME
|
1
|
1.61
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
SUNTAN
|
5 196
|
1.64
>100 шт. 0.82
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
NEX-NXP
|
112
|
3.10
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
YJ
|
141 947
|
2.07
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
TRR
|
79 200
|
1.44
>500 шт. 0.48
|
|
|
|
BC857B |
|
Маломощный транзистор PNP с большим коэффициентом усиления (Uce=45V, Ic=0.1A, P=300mW, ...
|
XXW
|
167 723
|
1.34
>100 шт. 0.67
|
|
|
|
LGA0204 10UH 20% |
|
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
LGA0204 10UH 20% |
|
|
|
|
3.60
|
|
|
|
PIC16F688-I/P |
|
|
MICRO CHIP
|
16
|
304.12
|
|
|
|
PIC16F688-I/P |
|
|
|
3
|
352.80
|
|
|
|
PIC16F688-I/P |
|
|
MICRO CHIP
|
39
|
|
|
|
|
PIC16F688-I/P |
|
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F688-I/P |
|
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
PIC16F688-I/P |
|
|
0.00
|
|
|
|
|
|
PIC16F688-I/P |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
39
|
|
|
|
|
КИП2-14МКГН |
|
|
|
|
46.08
|
|