2N5550
Транзистор NPN (Uce=140V, Ic=0.6A, P=625mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -55 to +150C)
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Transistor Type | NPN |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 50mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 10mA, 5V |
| Power - Max | 625mW |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Корпус | TO-92-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
2N5550 Amplifier Transistors NPN Silicon
Производитель:
|
Аналоги:
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CJ78L12 | JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS | 431 |
|
|||||
| CJ78L12 | CJ | 1 417 | 5.41 | |||||
| CJ78L12 |
|
|
||||||
 |
 |
MCR100-6 |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA | ON SEMICONDUCTOR | 52 | 24.57 | |
|
|
|
MCR100-6 |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA |
|
19.48 | ||
|
|
|
MCR100-6 |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA | UTC |
|
|
|
|
|
|
MCR100-6 |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA | OTHER | 83 |
|
|
|
|
|
MCR100-6 |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA | ONS |
|
|
|
|
|
|
MCR100-6 |
|
Тиристор 400V, 0.8A, Igt=0.2mA | CJ |
|
|
