293D226X9010B2TE3


Танталовый ЧИП конденсатор 22 мкФх 10в 10% тип B

Купить 293D226X9010B2TE3 по цене 10.61 руб.  (без НДС 20%)
293D226X9010B2TE3
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
293D226X9010B2TE3 (VISHAY) 12 840 10.61 

Версия для печати

Технические характеристики 293D226X9010B2TE3

Номинальное напряжение10 В
Емкость22 мкФ
Серия293D
Корпус (размер)3528-21
Тип монтажаПоверхностный
ТипЭлектролитический танталовый
Lead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости±10%
Tolerance±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)1.900 Ohm
ТипMolded
Рабочая температура-55°C ~ 125°C
Size / Dimension0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm)
Высота0.083" (2.11mm)
Manufacturer Size CodeB
ВозможностиGeneral Purpose
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
AMS1117-3.3 ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА   AMS Заказ радиодеталей цена радиодетали
AMS1117-3.3 ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА   AMSI Заказ радиодеталей цена радиодетали
AMS1117-3.3 ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА   ADVANCED MONOLITHIC SYSTEMS Заказ радиодеталей цена радиодетали
AMS1117-3.3 ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА     Заказ радиодеталей 30.00 
AMS1117-3.3 ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА   ADVANCED MONOLITHIC SYSTEMS Заказ радиодеталей цена радиодетали
AMS1117-3.3 ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА   КИТАЙ Заказ радиодеталей цена радиодетали
AMS1117-3.3 ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА   YOUTAI 148 792 4.97 
AMS1117-3.3 ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА   YONGYUTAI Заказ радиодеталей цена радиодетали
AMS1117-3.3 ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА   UMW-YOUTAI Заказ радиодеталей цена радиодетали
AMS1117-3.3 ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА   FULIHAO TECH 152 5.17 
AMS1117-3.3 ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА   SLKOR 1 392 5.60 
AMS1117-3.3 ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА   4-7 НЕДЕЛЬ 208 цена радиодетали
AMS1117-3.3 ИМС регулятор напряжения 3,3В, 800мА   JSMICRO 8 692 6.05 
  BC847CLT1G Транзистор биполярный SMD     Заказ радиодеталей 2.16 
  BC847CLT1G Транзистор биполярный SMD   ON SEMICONDUCTOR 1 2.89 
  BC847CLT1G Транзистор биполярный SMD   ONS 178 404 1.32 
  BC847CLT1G Транзистор биполярный SMD   ON SEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BC847CLT1G Транзистор биполярный SMD   ON SEMICONDUCTO Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BC847CLT1G Транзистор биполярный SMD   ONSEMICONDUCTOR Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BC847CLT1G Транзистор биполярный SMD   LRC Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BC847CLT1G Транзистор биполярный SMD   0.00 Заказ радиодеталей цена радиодетали
  BC847CLT1G Транзистор биполярный SMD   ONSEMI 376 1.23 
  BC847CLT1G Транзистор биполярный SMD   470 Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LQH32CN470K23L Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%   CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LQH32CN470K23L Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%   MURATA 226 12.40 
    LQH32CN470K23L Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%     16 57.88 
    LQH32CN470K23L Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%   Murata Electronics North America Заказ радиодеталей цена радиодетали
    LQH32CN470K23L Катушка индуктивности SMD 1210 47uH 170mA 10%   MUR 11 965 8.52 
LQH32MN2R2K23L Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц   MUR 13 336 4.92 
LQH32MN2R2K23L Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц     Заказ радиодеталей цена радиодетали
LQH32MN2R2K23L Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц   Murata Electronics North America Заказ радиодеталей цена радиодетали
LQH32MN2R2K23L Индуктивность чип 2.2мкГн, 370мА, 800мОм, 50МГц   MURATA 3 6.20 
    TECAP 2.2/35V B 10 Электролитический танталовый конденсатор 2.2 мкФ 35 В   VISHAY Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход