Версия для печати
Технические характеристики 1N5239B

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	9.1V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.2V @ 200mA
Current - Reverse Leakage @ Vr	3µA @ 7V
Допустимые отклонения емкости	±5%
Power - Max	500mW
Impedance (Max) (Zzt)	10 Ohm
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	DO-204AH, DO-35, Axial
Корпус	DO-35
Рабочая температура	-65°C ~ 200°C
Tolerance	±5%

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Стабилитроны

 » 

Стабилитроны - одиночные

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA		15 104	1.39
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	VISHAY
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	CHINA
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	БРЕСТ
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	GALAXY
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	Fairchild Semiconductor
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	КИТАЙ	80	5.47
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	МАЛАЙЗИЯ
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	GALAXY ME
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	EIC	275	1.06
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	KINGTRONICS	24	2.07
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	HOTTECH
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	KLS	8 400	1.62  >100 шт.   0.81
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	SEMTECH	914	1.17
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	1
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	GEMBIRD	24 192	1.06
		BZX55C9V1		Cтабилитрон универсальный PV=0.5W, Vz=9.1V, Izt-5mA	344

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	PHILIPS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ROHM
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	TELEFUNKEN
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIRCHILD
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	FAIRCHILD	946
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	OTHER
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	PHILIPS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ROHM
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	TELEFUNKEN	114
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	Fairchild Semiconductor
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ITT
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ITT INTERCONNECT SOLUTIONS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ONS-FAIR
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ONS
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35
		1N914		Диод S-D 100В, 75мА, 0.5Вт, DO35	ON SEMICONDUCTOR	8	2.25
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DC COMPONENTS	11 688	1.59
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	UTC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ИНТЕГРАЛ	400	12.49
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	DIOTEC	1	1.87
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FAIRCHILD
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KOREA ELECTRONICS CORPORATION
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	MOTOROLA
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	OTHER
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	PHILIPS
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	SAMSUNG
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ST MICROELECTRONICS SEMI
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	STMicroelectronics
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	КИТАЙ	8	2.25
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	FSC
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEC AMERICA (USD)
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...		27 316	1.50  >500 шт.   0.50
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ONS-FAIR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	ON SEMICONDUCTOR
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	CJ	4	1.66
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	KEEN SIDE
		2N3904		Транзистор высокочастотный NPN (Uce=40V, Ic=0.2A, P=625mW, B>100@I=10mA, f=300MHz, -55 ...	5
		MPSA18		Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...	FAIR
		MPSA18		Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		MPSA18		Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...	ON SEMICONDUCTOR
		MPSA18		Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...			54.00
		MPSA18		Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...	FAIRCHILD
		MPSA18		Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...	FAIRCHILD
		MPSA18		Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		MPSA18		Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...	ON SEMICONDUCTOR
		MPSA18		Транзистор NPN малошумящий (Uce=45V, Ic=200mA, P=625mW, Nf=0.5dB@1kHz, ...	Fairchild Semiconductor
		МП41А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ...		68	41.58
		МП41А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ...	ПЛАНЕТА
		МП41А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ...	РОССИЯ
		МП41А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ...	МОСКВА
		МП41А		Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный ...	126
		МП41Б

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"