| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | MSP430 |
| Процессор | RISC |
| Размер ядра | 16-Bit |
| Скорость | 25MHz |
| Подключения | I²C, IrDA, LIN, SCI, SPI, UART/USART, USB |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, DMA, POR, PWM, WDT |
| Число вводов/выводов | 47 |
| Размер программируемой памяти | 128KB (128K x 8) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| Размер памяти | 10K x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Преобразователи данных | A/D 12x12b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 64-VFQFN Exposed Pad |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
 |
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
134 240
|
2.12
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
|
|
4.00
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS
|
1
|
2.37
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
2 533
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMIC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
VBSEMI
|
2 940
|
2.98
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
ONSEMI
|
128
|
1.42
|
|
|
|
|
2N7002LT1G |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=60V, Id=0.115A@T=25C, Id=0.075A@T=100C, Rds)
|
167800
|
|
|
|
|
|
|
IHLP2020CZER2R2M11 |
|
|
VISHAY
|
14 400
|
29.96
|
|
|
|
|
IHLP2020CZER2R2M11 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LMC555CMM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LMC555CMM |
|
|
NSC
|
|
|
|
|
|
|
LMC555CMM |
|
|
|
|
358.00
|
|
|
|
|
LMC555CMM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
512
|
|
|
|
|
|
LMC555CMM |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
|
LMC555CMM |
|
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
|
LMC555CMM |
|
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
114
|
|
|
|
|
|
LMC555CMM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
232
|
|
|
 |
|
LQM18FN100M00D |
|
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
|
LQM18FN100M00D |
|
|
MUR
|
307 050
|
3.12
|
|
|
|
|
LQM18FN100M00D |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
LQM18FN100M00D |
|
|
MURATA
|
830
|
9.11
|
|
|
|
|
MMA8451QT |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
MMA8451QT |
|
|
FREESCALE
|
|
|
|
|
|
|
MMA8451QT |
|
|
Freescale Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
MMA8451QT |
|
|
FRS
|
|
|
|
|
|
|
MMA8451QT |
|
|
NXP/FRS
|
|
|
|
|
|
|
MMA8451QT |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
MMA8451QT |
|
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
MMA8451QT |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
61
|
|
|
Версия для печати
