| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
293D107X9010C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 10 В
|
VISHAY
|
30 788
|
37.22
|
|
|
|
|
293D107X9010C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 10 В
|
|
|
126.40
|
|
|
|
|
293D107X9010C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 10 В
|
Vishay/Sprague
|
|
|
|
|
|
|
293D107X9010C2TE3 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 100 мкФ 10 В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
2 892
|
1.43
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
|
77 904
|
1.84
>100 шт. 0.92
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY
|
309
|
3.87
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP
|
3 888
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
Diodes Inc
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DI
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
DIOTEC
|
3 737
|
2.19
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
INFINEON
|
102
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HOTTECH
|
1 201
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMTECH
|
11
|
2.72
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
WUXI XUYANG
|
52
|
1.37
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
SEMICRON
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KOME
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
JSCJ
|
58 604
|
2.60
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
YJ
|
341 344
|
1.94
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
XXW
|
49 980
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
CJ
|
8 000
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
48
|
1.02
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
HXY
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
3615
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
10000
|
|
|
|
|
|
BAV199 |
|
2 импульсных диода (Vrrm=85V, Vr=75V, If=160mA, Ifrm=500mA, P=250mW, Ts=-65 to +150C)
|
1500
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
|
48 361
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
HOTTECH
|
356 149
|
1.58
>100 шт. 0.79
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
YJ
|
4 480
|
2.07
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
NXP/NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
KLS
|
8 991
|
1.61
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
HOTTECN
|
5 816
|
1.07
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
CTK
|
|
|
|
|
|
BZV55C3V3 |
|
Стабилитрон 0.5Вт, 3.3В
|
TRR
|
38 000
|
1.47
>500 шт. 0.49
|
|
|
|
IRLML6346TR |
|
Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
IRLML6346TR |
|
Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт
|
|
|
|
|
|
|
IRLML6346TR |
|
Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IRLML6346TR |
|
Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
IRLML6346TR |
|
Транзистор полевой, N-канальный, 30В, 3,4А, 1,3Вт
|
TRR
|
2 907
|
9.03
|
|
|
|
|
SH006M1000B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 6.3 В
|
YAGEO
|
|
|
|
|
|
|
SH006M1000B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 6.3 В
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
SH006M1000B5S-1012 |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 1000 мкФ 6.3 В
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|