SI2307BDS-T1-E3
P-Ch -30V -2,5A 0,75W 0,13R
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 78 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 2.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 380pF @ 15V |
| Power - Max | 750mW |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23-3 (TO-236) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STM32F103RET6 | 1 154 | 317.02 | ||||||
| STM32F103RET6 | ST MICROELECTRONICS | 506 | 268.74 | |||||
| STM32F103RET6 | ST MICROELECTRONICS SEMI | 559 |
|
|||||
| STM32F103RET6 | STMicroelectronics |
|
|
|||||
| STM32F103RET6 | КИТАЙ |
|
|
|||||
| STM32F103RET6 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 542 |
|
