|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Изоляция выхода | Isolated |
| Напряжение входное | 10.3 V ~ 18 V |
| Мощность (Ватт) | 1W |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Корпус (размер) | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Корпус | 8-DIP |
|
L6565 (Источники питания с широтно-импульсной модуляцией) Quasi-resonant SMPS Controller Также в этом файле: L6565N
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0.25ВТ 1206 10 КОМ, 1% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
| CF-100 (С1-4) 1 ВТ, 1.2 ОМ, 5% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
| CF-100 (С1-4) 1 ВТ, 18 ОМ, 5% | ТАЙВАНЬ |
|
|
|||||
|
|
|
ICE3BR1765J |
|
Infineon Technologies |
|
|
||
|
|
|
ICE3BR1765J |
|
INFINEON |
|
|
||
|
|
|
ICE3BR1765J |
|
|
|
|||
|
|
|
ICE3BR1765J |
|
|
|
|||
|
|
|
ICE3BR1765J |
|
4-7 НЕДЕЛЬ | 729 |
|
||
|
|
|
STF11NM80 |
|
N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STF11NM80 |
|
N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet |
|
328.80 | ||
|
|
|
STF11NM80 |
|
N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STF11NM80 |
|
N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
STF11NM80 |
|
N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet | ST MICROELECTRONICS SEMI | 13 332 |
|
|
|
|
|
STF11NM80 |
|
N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet | STMICROELECTR |
|
|