CF-100 (С1-4) 1 ВТ, 1.2 ОМ, 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
1N4148.133	Импульсный диод 150 мА,100В	NXP
1N4148.133	Импульсный диод 150 мА,100В	NEX-NXP	1	3.05
1N4148.133	Импульсный диод 150 мА,100В
CF-50 (С1-4) 0.5 ВТ, 2.7 КОМ, 5%		ТАЙВАНЬ
ICE3BR1765J		Infineon Technologies
ICE3BR1765J		INFINEON
ICE3BR1765J
ICE3BR1765J
ICE3BR1765J		4-7 НЕДЕЛЬ	729
L6565N		ST MICROELECTRONICS
L6565N				130.68
L6565N		ST MICROELECTRONICS SEMI
L6565N		STMicroelectronics
L6565N		КИТАЙ
L6565N		ST1
L6565N		4-7 НЕДЕЛЬ	788
STF11NM80	N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS
STF11NM80	N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet			328.80
STF11NM80	N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet	STMicroelectronics
STF11NM80	N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet	КИТАЙ
STF11NM80	N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet	ST MICROELECTRONICS SEMI	13 332
STF11NM80	N-channel 800 v - 0.35 ? - 11 a - to-220fp mdmesh™ power mosfet	STMICROELECTR