| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
VS-HFA30PA60CPBF |
|
Диод выпрямительный 19нс, 600В, 15А, 74Вт
|
VISHAY/IR
|
|
|
|
|
|
VS-HFA30PA60CPBF |
|
Диод выпрямительный 19нс, 600В, 15А, 74Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
26
|
83.70
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
|
2
|
267.12
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
1
|
|
|
|
|
|
IR2153 |
|
Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
|
|
|
|
|
SIHG20N50C-E3 |
|
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
SIHG20N50C-E3 |
|
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
SIHG20N50C-E3 |
|
|
|
192
|
132.70
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
|
11 796
|
22.08
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
КРЕМНИЙ
|
4 320
|
54.76
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
БРЯНСК
|
12 883
|
33.48
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
МИНСК
|
7 800
|
33.48
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
1000
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
10000
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
11366
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
27
|
|
|
|
|
|
КТ814Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры PNP 100В, 1,5А, 3МГц
|
4794
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
|
411
|
52.08
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 868
|
33.57
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
12 412
|
29.76
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ817Г |
|
Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный
|
18072
|
|
|
|