Версия для печати
Технические характеристики IRFIZ44N

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 17A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	31A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	65nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1300pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3 Full Pack
Корпус	TO-220AB Full-Pak

IRFIZ44N (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFIZ44N datasheet 108.27Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	NXP
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	PHILIPS
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA		7 204	3.10
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	NXP
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	PHILIPS	40
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	ТАИЛАНД
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	NXP/NEXPERIA
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	WEEN
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	1
		BT169D		Тиристор 400V 0,5A 0.2/5mA	FUXINSEMI
		DB107 (1А,1000В)		Диодный мост 1A, 1000V	CHINA
		DB107 (1А,1000В)		Диодный мост 1A, 1000V
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	DC COMPONENTS	111	92.02
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	MCC
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	WTE
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V		3	218.30
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	QUAN-HONG
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	GALAXY
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	КИТАЙ
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	MIC
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YJ	14 286	60.80
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	KINGTRONICS
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	GALAXY ME
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	WUXI XUYANG	1 258	61.10
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGJIE	11 120	68.88
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGJIE (YJ)
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YS
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	KLS	3 680	87.82
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	SEP
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	HOTTECH
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	YANGZHOU YANGJIE
		KBPC3510		Диодный мост 35A, 1000V	RUICHI
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARP	11 343	7.23
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц		32	12.95
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	КИТАЙ
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVL
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SHARPLCD
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	MICRONE	3 477	2.80
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	EVERLLIGHT
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	CHE
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	YOUTAI	55 024	3.71
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	UMW-YOUTAI
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	SLKOR	14 444	2.04
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	4-7 НЕДЕЛЬ	336
		PC817C		Оптрон с высоким коэффициентом передачи тока. 1 канальный 200мВт, 35В, 50мА, 80кГц	RUME	147 440	1.88
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	MASTER INSTRUMENT CO
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	DC COMPONENTS	4 258	21.34
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	MCC
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка		5 824	11.57
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	GALAXY
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	MIC	606	21.46
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	КИТАЙ
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	YJ
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	GALAXY ME
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	KLS
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	WUXI XUYANG
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	HOTTECH	1 019	13.05
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	SEP	528	15.76
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	YANGJIE	35 840	26.86
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	RUME
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	BO	1 200	11.09
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	TRR	7 600	10.08
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	KEEN SIDE	5 190	9.15
		RS407		Диодный мост (Vr=1000 Vdc, I=4.0А, -55 to +150C), однорядный, цоколевка	86

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"