Версия для печати
Технические характеристики IRFB31N20D

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	82 mOhm @ 18A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	31A
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	107nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2370pF @ 25V
Power - Max	3.1W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

IRFB31N20D (N-канальные транзисторные модули) Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) max=0.082ohm, Id=31A) Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRFB31N20D datasheet 193.45Kb 11стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HITACHI
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный			40.00
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UTC
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	HIT
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	UNISONIC
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	КИТАЙ
		2SB649AC		Транзистор биполярный PNP высокочастотный	DE
		2SC4468		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi (140V, 10A, 100W, 20MHz)	SANKEN
		2SC4468		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi (140V, 10A, 100W, 20MHz)	SK
		2SC4468		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi (140V, 10A, 100W, 20MHz)		1	228.06
		2SC4468		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi (140V, 10A, 100W, 20MHz)	КИТАЙ
		2SC4468		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi (140V, 10A, 100W, 20MHz)	ISC
		2SC4468		Биполярный транзистор NPN Hi-Fi (140V, 10A, 100W, 20MHz)	ISCSEMI
		2SD669AC		Биполярный высокочастотный NPN транзистор 1Вт, 180В, 1,5А, 140МГц	HITACHI
		2SD669AC		Биполярный высокочастотный NPN транзистор 1Вт, 180В, 1,5А, 140МГц	UTC	1	31.78
		2SD669AC		Биполярный высокочастотный NPN транзистор 1Вт, 180В, 1,5А, 140МГц			40.00
		2SD669AC		Биполярный высокочастотный NPN транзистор 1Вт, 180В, 1,5А, 140МГц	HIT
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	160.06
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		2	267.12
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	ТАИЛАНД
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	1
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	4-7 НЕДЕЛЬ	735
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMENTS	14 283	14.84
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс		8 784	33.30
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTR
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMENTS	108
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMEN
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXASINSTRUMENTS
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	XINBOLE	9 598	10.60
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	4-7 НЕДЕЛЬ	26
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	12008
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	5500
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	7480

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"