Версия для печати
Технические характеристики 2SJ352

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8A
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	800pF @ 10V
Power - Max	100W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-3P-3, SC-65-3
Корпус	TO-3P

2SJ352 (Полевые МОП транзисторы) Silicon P-channel Mos Fet Производитель: Hitachi Semiconductor //www.hitachi.com 2SJ352 datasheet 42.93Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2SK2221		Транзистор полевой N-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SJ352)	HITACHI
		2SK2221		Транзистор полевой N-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SJ352)	HIT
		2SK2221		Транзистор полевой N-MOS 200V, 8A, 100W (Comp. 2SJ352)			478.76
		HFA25TB60		Диод 600V, 25A, 75nS (HEXFRED)	VISHAY
		HFA25TB60		Диод 600V, 25A, 75nS (HEXFRED)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		HFA25TB60		Диод 600V, 25A, 75nS (HEXFRED)			273.12
		HFA25TB60		Диод 600V, 25A, 75nS (HEXFRED)	Vishay/Semiconductors
		HFA25TB60		Диод 600V, 25A, 75nS (HEXFRED)	КИТАЙ
		HFA25TB60		Диод 600V, 25A, 75nS (HEXFRED)	1
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	143.64
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A		2	378.00
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	ТАИЛАНД
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	INFINEON
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	1
		IR2153		Драйвер полумостовой с автогенератором. Uсм=600В, Uвых=10/20В, Iвых=0.2A/0.4A	4-7 НЕДЕЛЬ	276
		IRFB31N20D		Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRFB31N20D		Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R			222.00
		IRFB31N20D		Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	КИТАЙ
		IRFB31N20D		Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INFINEON
		IRFB31N20D		Полевой транзистор N-Канальный 200V, 31A, 200W, 0,082R	INFINEON TECHNOLOGIES
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	NATIONAL SEMICONDUCTOR
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMENTS	4 004	31.00
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс		8 288	33.30
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTR
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMENTS	108
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS INSTRUMEN
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXAS	8 116	15.75
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	TEXASINSTRUMENTS
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	XINBOLE	9 614	16.80
		LM311DR		Дифференциальный компаратор 3,4-30В, 7,5мА, 115нс	4-7 НЕДЕЛЬ	524

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"