Версия для печати
Технические характеристики IRF9Z14

FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	6.7A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	270pF @ 25V
Power - Max	43W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N4007			DC COMPONENTS	60 996	1.94
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			PANJIT
		1N4007			FSC
		1N4007			MCC
		1N4007			DIC
		1N4007			FAIR
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			MIC	330 087	1.48
		1N4007			DIOTEC	71 806	2.94
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			LD
		1N4007			JGD
		1N4007			MING SHUN
		1N4007			MS
		1N4007			QUAN-HONG
		1N4007			XR
		1N4007			GALAXY
		1N4007			COMPACT TECHNOLOGY
		1N4007			DC COMPONENTS
		1N4007			FAIRCHILD	288
		1N4007			GENERAL SEMICONDUCTOR	1
		1N4007			LITE ON OPTOELECTRONICS
		1N4007			MASTER INSTRUMENT CORPORATION
		1N4007			MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N4007			ON SEMICONDUCTOR
		1N4007			PANJIT	307 692
		1N4007			PHILIPS
		1N4007			TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
		1N4007			YANGJIE SEMICONDUCT
		1N4007			Fairchild Semiconductor
		1N4007			SHENZHEN LUGUANG ELECTRONIC TECHNOLOGY CO.,LTD
		1N4007			MICROSEMI CORP
		1N4007			ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N4007			GD
		1N4007			JC
		1N4007			KINGTRONICS
		1N4007			YJ	200 292	1.43
		1N4007			DIODES INC.
		1N4007			MIG
		1N4007			MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		1N4007			MOTOROLA
		1N4007			YJ ELE-NIC CORP
		1N4007			RECTIFIER
		1N4007			EXTRA COM-NTS
		1N4007			GALAXY ELECTRICAL
		1N4007			GEMBIRD
		1N4007			ТОМИЛИНО
		1N4007			EXTRA
		1N4007			КИТАЙ	881	5.47
		1N4007			DIOTEC SEMICONDUCTOR
		1N4007			MD
		1N4007				1 916	3.70
		1N4007			ONS-FAIR
		1N4007			ONS
		1N4007			ELZET
		1N4007			GALAXY ME
		1N4007			LGE	27	1.65
		1N4007			HOTTECH	8 479	1.48
		1N4007			KLS
		1N4007			YS	2 311	1.38
		1N4007			YANGJIE	49 464	1.52
		1N4007			YANGJIE (YJ)
		1N4007			MC
		1N4007			FAIRCHILD
		1N4007			WUXI XUYANG
		1N4007			KUU
		1N4007			CHINA
		1N4007			SUNRISETRON
		1N4007			UNKNOWN
		1N4007			BILIN
		1N4007			KEHE
		1N4007			1
		1N4007			BL
		1N4007			SUNTAN	53 717	1.27
		1N4007			TWGMC	28 727	1.47  >500 шт.   0.49
		1N4007			CTK
		1N4007			JUXING	85	1.76
		1N4007			ASEMI	1	1.56  >100 шт.   0.78
		1N4007			YANGZHOU YANGJIE
		1N4007			KEEN SIDE	389 522	1.18  >100 шт.   0.59
		1N4007			MERRYELC	212 786	1.66
		1N4007			82582
		1N4007			81682	8	1.06
		1N4007			TRR	582 640	1.42  >100 шт.   0.71
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIR
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	HARRIS
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERSIL
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	MOTOROLA
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	VISHAY
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIRCHILD
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	FAIRCHILD
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	HARRIS
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	INTERSIL
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	MOTOROLA	6
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	Vishay/Siliconix
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	VISHAY/IR
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	SILICONIX
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W	SAMSUNG
		IRF610		Транзистор полевой N-канальный 200V, 3.3A, 36W		4	114.66
		PIC18F13K50-I/SO			MICRO CHIP
		PIC18F13K50-I/SO					559.20
		PIC18F13K50-I/SO			Microchip Technology
		PIC18F13K50-I/SO			ТАИЛАНД
		PIC18F13K50-I/SO			MICRO CHIP	161
		PIC18F13K50-I/SO			4-7 НЕДЕЛЬ	196
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А		134	22.68
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	КРЕМНИЙ	691	14.84
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	БРЯНСК
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	МИНСК	5 043	18.02
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	RUS
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	ИНТЕГРАЛ
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	ТРАНЗИСТОР
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	ДАЛЕКС	120	24.80
		КТ502Е		Транзистор структуры PNP универсальный 0,35Вт, 5МГц, 70В, 0,15А	7369
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный		2 924	18.90
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	462	14.84
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	МИНСК	6 316	16.96
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ТРАНЗИСТОР
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	БРЯНСК	4 259	16.96
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	RUS
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	ИНТЕГРАЛ	37	12.49
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	2480
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	3
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	400
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	4356
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	595
		КТ503Е		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN универсальный	6447

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"