Версия для печати
Технические характеристики IRF9640S

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500 mOhm @ 6.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	11A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	44nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1200pF @ 25V
Power - Max	3W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус	D2PAK

IRF9640S (Дискретные сигналы) 200V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF9640STRL, IRF9640STRR Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF9640S datasheet 170.72Kb 6стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		11059.2 КГЦ 30PPM
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)			380.84
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	МЕКСИКА
		IRG4PC50W		Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INFINEON
		OP37GP		ОУх1 прецизионный: Uсм=30мкВ, Кус=1500В/мВ, f=40МГц, Uш<5нВ/Гц, PDIP8	TEXAS INSTRUMENTS
		OP37GP		ОУх1 прецизионный: Uсм=30мкВ, Кус=1500В/мВ, f=40МГц, Uш<5нВ/Гц, PDIP8	PRECISION MONOLITIC INC
		OP37GP		ОУх1 прецизионный: Uсм=30мкВ, Кус=1500В/мВ, f=40МГц, Uш<5нВ/Гц, PDIP8	ANALOG DEVICES
		OP37GP		ОУх1 прецизионный: Uсм=30мкВ, Кус=1500В/мВ, f=40МГц, Uш<5нВ/Гц, PDIP8		8	185.00
		OP37GP		ОУх1 прецизионный: Uсм=30мкВ, Кус=1500В/мВ, f=40МГц, Uш<5нВ/Гц, PDIP8	PRECISION MONOLITIC INC
		OP37GP		ОУх1 прецизионный: Uсм=30мкВ, Кус=1500В/мВ, f=40МГц, Uш<5нВ/Гц, PDIP8	4-7 НЕДЕЛЬ	742
		VS-30ETH06			VISHAY
		VS-30ETH06					220.00
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		2 583	38.64
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК	14 137	46.20
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	2 560	84.72
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	РОССИЯ
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	47
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	8658
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	88
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	8879

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"