HFA30TA60C

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
HFA30TA60C	4	264.60
HFA30TA60C (IR/VISHAY)	40	225.09

Версия для печати

Технические характеристики HFA30TA60C

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFRED®
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7V @ 15A
Current - Reverse Leakage @ Vr	10µA @ 600V
Current - Average Rectified (Io) (per Diode)	15A (DC)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600V
Reverse Recovery Time (trr)	60ns
Diode Type	Standard
Скорость	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Diode Configuration	1 Pair Common Cathode
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

HFA30TA60CS (Дискретные сигналы)

600V 30A Hexfred Common Cathode Diode inA D2-Pak (HEXFRED) Package

Также в этом файле: HFA30TA60CSTR, HFA30TA60CSTRL, HFA30TA60CSTRR

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

HFA30TA60C datasheet
163.28Kb
6стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
40EPF12	Диод 40А, 1200В, 0.45мкс	VISHAY
40EPF12	Диод 40А, 1200В, 0.45мкс			230.40
40EPF12	Диод 40А, 1200В, 0.45мкс	Vishay/Semiconductors
BC817-16.215	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	NXP
BC817-16.215	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт	NEX-NXP
BC817-16.215	Транзистор NPN 45В, 0.5A, 0.25Вт
IRG4PC50W	Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRG4PC50W	Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)			380.84
IRG4PC50W	Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	МЕКСИКА
IRG4PC50W	Транзистор IGBT модуль единичный 600V, 55A, 200W (WARP 60-150kHz)	INFINEON
КД 522Б ИМП.(1N4148)	Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ
КС215Ж	стекло		1 123	92.00
КС215Ж	стекло	НЗПП	400	36.16
КС215Ж	стекло	НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП
КС215Ж	стекло	НОВОСИБИРСК
КС215Ж	стекло	RUS
КС215Ж	стекло	СЗТП	80	57.78
КС215Ж	стекло	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО