STGW19NC60HD
Высокоскоростной igbt-транзистор на 600В, 21А,140Вт
|
Транзистор высокоскоростной igbt |
Версия для печати
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Серия | PowerMESH™ |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 12A |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 42A |
| Power - Max | 140W |
| Тип входа | Standard |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-247 |
| Корпус | TO-247 Long Leads |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
STGW19NC60HD (IGBT) Высокоскоростной igbt-транзистор на 600В, 21А,140Вт
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
STGW30NC60WD |
|
Ультраскоростной igbt-транзистор на 600В, 30А | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60WD |
|
Ультраскоростной igbt-транзистор на 600В, 30А | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
STGW30NC60WD |
|
Ультраскоростной igbt-транзистор на 600В, 30А |
|
540.52 | ||
|
|
|
STGW30NC60WD |
|
Ультраскоростной igbt-транзистор на 600В, 30А | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
| КД213Б-6 | 1 | 25.20 | ||||||
 |
|
КД 522Б ИМП.(1N4148) |
|
Импульсный диод Uобр 50В/75В, 1.5А, 4мкс, 3пФ |
|
|
||
 |
КС215Ж |
|
стекло | 1 123 | 92.00 | |||
|
|
КС215Ж |
|
стекло | НЗПП | 232 | 36.16 | ||
|
|
КС215Ж |
|
стекло | НОВОСИБИРСКИЙ ЗПП |
|
|
||
|
|
КС215Ж |
|
стекло | НОВОСИБИРСК |
|
|
||
|
|
КС215Ж |
|
стекло | RUS |
|
|
||
|
|
КС215Ж |
|
стекло | СЗТП | 80 | 57.78 | ||
|
|
КС215Ж |
|
стекло | САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРО |
|
|
||
 |
|
КТ 503 Г (06-09Г) |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный, для ... | RUS |
|
|
