|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
3362P-1-104 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3362P-1-104 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
BARONS
|
|
|
|
|
|
3362P-1-104 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
VATRONICS
|
|
|
|
|
|
3362P-1-104 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
|
|
18.52
|
|
|
|
3362P-1-104 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
BOURNS
|
|
|
|
|
|
3362P-1-104 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
Bourns Inc
|
|
|
|
|
|
3362P-1-104 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
3362P-1-104 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
КОСТА-РИКА
|
|
|
|
|
|
3362P-1-104 |
|
Резистор переменный подстроечный, непроволочный однооборотный
|
BOCHEN
|
13 676
|
9.90
|
|
|
|
AD826AN |
|
Сдвоенный операционный усилитель быстродейств: 50 МГц, 350В/мкС, Iвых=50мАх2
|
ANALOG DEVICES
|
4
|
578.34
|
|
|
|
AD826AN |
|
Сдвоенный операционный усилитель быстродейств: 50 МГц, 350В/мкС, Iвых=50мАх2
|
|
|
560.00
|
|
|
|
AD826AN |
|
Сдвоенный операционный усилитель быстродейств: 50 МГц, 350В/мкС, Iвых=50мАх2
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
365
|
|
|
|
|
CA56-11GWA |
|
Сегментный светодиод 14.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд
|
KB
|
|
|
|
|
|
CA56-11GWA |
|
Сегментный светодиод 14.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд
|
KINGBRIGHT
|
228
|
372.87
|
|
|
|
CA56-11GWA |
|
Сегментный светодиод 14.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд
|
|
|
180.00
|
|
|
|
CA56-11GWA |
|
Сегментный светодиод 14.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд
|
KGB
|
|
|
|
|
|
CA56-11GWA |
|
Сегментный светодиод 14.2мм 4х7 зеленый ОА, 10.5мКд
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
LITE ON OPTOELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
GENERAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
UTC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC
|
22 534
|
2.54
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JIANGSU CHANJIANG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
NXP
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIODES INC.
|
16
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
FAIRCHILD
|
48
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
DIOTEC SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
|
48 888
|
1.52
>100 шт. 0.76
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
HOTTECH
|
29 908
|
1.52
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
YJ
|
45 722
|
1.28
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
JSCJ
|
21 932
|
1.22
|
|
|
|
MMBT2222A |
|
Транзистор NPN 350мВт, 40В, 1А, 300МГц
|
ASEMI
|
7 373
|
1.02
|
|
|
|
RC0805FR-071KL |
|
|
YAGEO
|
1 546 864
|
0.60
>1000 шт. 0.12
|
|
|
|
RC0805FR-071KL |
|
|
|
|
1.76
>100 шт. 0.88
|
|
|
|
RC0805FR-071KL |
|
|
PHYCOMP
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-071KL |
|
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
RC0805FR-071KL |
|
|
YAGEO
|
|
|
|